发明 2020107944847 一种内台面强负阻开关二极管

二极管 电子器件 半导体 （二极管 半导体） 1人

H01L29/861 H01L23/48 H01L23/367 H01L23/08

发明 2021102752826 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法（半导体）

半导体 1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423

发明 2020116228475 鳍式场效应管及其制作方法（半导体）

半导体 1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

发明 2020115385549 一种参数化单元及其实现方法（半导体集成电路）

半导体 集成电路 1人

G06F30/39 H01L29/66

发明 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法（半导体）

半导体 1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

发明 2021102866653 一种晶体管及其制作方法（半导体）

半导体 1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/08 H01L29/06

发明 2019800003918 1T1R阻变式存储器及其制作方法、晶体管和设备

RRAM 存储器 内存 1人

H01L29/786

发明 2016109605225 一种台面二极管

二极管灯管半导体 1人

H01L29/861

发明 2017108584993 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

半导体器件 显示器件 半导体器件 显示器件 1人

H01L29/786 H01L21/34

发明 201611184781X 基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法

半导体 无线电通信 移动通信卫星通信 2人

H01L21/04 H01L29/66 H01Q1/38 H01Q7/00 H01Q23/00

发明 2021111329192 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法

肖特基势垒晶体管 金属-半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 栅电极 1人

H01L29/78 H01L21/336

发明 2017105646856 瞬态电压抑制器及其制作方法

【半导体芯片制造】（半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件） 【半导体芯片制造半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件】 1人

H01L27/02 H01L27/08 H01L29/06 H01L29/866 H01L21/265 H01L21/266 H01L21/8222 H01L21/329

发明 2017105646822 瞬态电压抑制器及其制作方法

电压抑制器 半导体芯片 电路保护 【电压抑制器 半导体芯片 电路保护】 3人

H01L27/02 H01L29/866 H01L21/329

发明 2019800014024 电容器及其制作方法

电容 储能 1人

H01L23/64 H01L29/94

发明 2021110145312 源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法

肖特基势垒晶体管 隧道晶体管 编程晶体管 金属-半导体接触 芯片 1人

H01L29/788 H01L21/336

发明 2022112694770 一种集成电路三极管及其测试方法

集成电路 三极管 半导体 半导体三极管 半导体器件 1人

H01L23/055 H01L23/10 H01L23/427 H01L29/73 G01R31/26

发明 2023112717705 一种具有高散热的快恢复二极管框架结构

（二极管 电子器件 半导体器件） 2人

H01L23/367 H01L23/467 H01L23/40 H01L23/32 H01L29/861

发明 2016111838948 用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法

半导体器件制造技术 1人

H01L21/329 H01L29/868 H01L29/20 H01Q1/22 H01Q1/36

发明 2020114709860 一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法

1人

H03K7/08 H01L29/778 H01L29/20

发明 202011470924X 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件

1人

H01L29/06 H01L29/40 H01L29/778 H01L29/20