发明 2019800014024 电容器及其制作方法

电容 储能 1人

H01L23/64 H01L29/94

发明 2021110145312 源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法

肖特基势垒晶体管 隧道晶体管 编程晶体管 金属-半导体接触 芯片 1人

H01L29/788 H01L21/336

发明 2017105646822 瞬态电压抑制器及其制作方法

电压抑制器 半导体芯片 电路保护 【电压抑制器 半导体芯片 电路保护】 3人

H01L27/02 H01L29/866 H01L21/329

发明 2016109605225 一种台面二极管

二极管灯管半导体 1人

H01L29/861

发明 2021100706306 全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法（半导体）

半导体 2人

H01L29/41 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336

发明 2020107944847 一种内台面强负阻开关二极管

二极管 电子器件 半导体 （二极管 半导体） 1人

H01L29/861 H01L23/48 H01L23/367 H01L23/08

发明 2021111329192 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法

肖特基势垒晶体管 金属-半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 栅电极 1人

H01L29/78 H01L21/336

发明 2017105646856 瞬态电压抑制器及其制作方法

【半导体芯片制造】（半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件） 【半导体芯片制造半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件】 1人

H01L27/02 H01L27/08 H01L29/06 H01L29/866 H01L21/265 H01L21/266 H01L21/8222 H01L21/329

发明 2021108120478 一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

1人

H01L29/739 H01L29/20 H01L29/06

发明 2021109149327 一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

1人

H01L29/20 H01L29/06 H01L29/739

发明 202210553866X 具有双沟槽的4H-SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件

1人

H01L29/739 H01L29/06

发明 2020111201705 一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构

1人

H01L29/861 H01L29/868 H01L29/06

发明 2020114815910 一种具有集电极多晶硅电子通道的RC-IGBT器件

1人

H01L29/739 H01L29/08

发明 2021107452175 一种具有电荷积累效应的超结EA-SJ-FINFET器件

1人

H01L29/06 H01L29/78

发明 2021110612659 一种衬底集成反并联续流二极管的RC-LIGBT器件

1人

H01L29/06 H01L29/739

发明 202010092899X 一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件

1人

H01L29/739 H01L29/06 H01L29/08

发明 2021102752826 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法（半导体）

半导体 1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423

发明 2020116228475 鳍式场效应管及其制作方法（半导体）

半导体 1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

发明 2020115385549 一种参数化单元及其实现方法（半导体集成电路）

半导体 集成电路 1人

G06F30/39 H01L29/66

发明 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法（半导体）

半导体 1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336