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发明 2021111329192 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法

肖特基势垒晶体管 金属-半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 栅电极 3人

H01L29/78 H01L21/336

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发明 2021110145312 源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法

肖特基势垒晶体管 隧道晶体管 编程晶体管 金属-半导体接触 芯片 3人

H01L29/788 H01L21/336

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发明 2021110125639 低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法

芯片 晶体管 半导体 低导通电阻 高集成低功耗CCMOS集成电路 芯片 晶体管 半导体 低导通电阻 3人

H01L29/786 H01L21/336 G06F15/78

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发明 2021108001712 高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法

高低肖特基势垒 数字逻辑电路 半导体 硅晶圆衬底 高低肖特基势垒 无掺杂技术数字芯片设计制造 XNOR逻辑高集成化 数字逻辑电路 半导体 硅晶圆衬底 3人

H01L29/786 H01L27/12 H01L21/336 H01L21/77

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发明 2021107690760 低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法

晶体管 异或非门逻辑 数字逻辑电路 半导体 低功耗集成电路制造 晶体管 异或非门逻辑 数字逻辑电路 半导体 3人

H01L29/786 H01L27/12 H01L21/336 H01L21/77

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发明 2020106579051 一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件

半导体技术 功率半导体器件 电压控制 高压集成电路 微电子技术 4人

H01L29/78 H01L29/06

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发明 2023112717705 一种具有高散热的快恢复二极管框架结构

(二极管 电子器件 半导体器件) 1人

H01L23/367 H01L23/467 H01L23/40 H01L23/32 H01L29/861

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发明 201611184781X 基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法

半导体 无线电通信 移动通信卫星通信 1人

H01L21/04 H01L29/66 H01Q1/38 H01Q7/00 H01Q23/00

已下证 企业

发明 2017105646822 瞬态电压抑制器及其制作方法

电压抑制器 半导体芯片 电路保护 1人

H01L27/02 H01L29/866 H01L21/329

已下证 企业

发明 2020114709860 一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法

1人

H03K7/08 H01L29/778 H01L29/20

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发明 202011470924X 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件

1人

H01L29/06 H01L29/40 H01L29/778 H01L29/20

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