发明 2020115321373 一种单管IGBT并联模块及其制造方法

IGBT模块 芯片半导体 双极型晶体管 新能源汽车 电机控制 2人

H01L23/367 H01L23/467 H01L23/473 H01L23/04 H01L29/739

发明 2020107944847 一种内台面强负阻开关二极管

二极管 电子器件 半导体 （二极管 半导体） 2人

H01L29/861 H01L23/48 H01L23/367 H01L23/08

发明 2024110522389 一种方形晶闸管芯片

1人

H01L23/10 H01L23/04 H01L23/16 H01L23/48 H01L23/488 H01L29/74

发明 2024111032175 一种高频晶闸管

1人

H01L23/32 H01L23/16 H01L23/367 H01L23/02 H01L29/74 H01R13/639

发明 2023112717705 一种具有高散热的快恢复二极管框架结构

（二极管 电子器件 半导体器件） 2人

H01L23/367 H01L23/467 H01L23/40 H01L23/32 H01L29/861

发明 201611184781X 基于GaAs的频率可重构套筒偶极子天线的制备方法

半导体 无线电通信 移动通信卫星通信 2人

H01L21/04 H01L29/66 H01Q1/38 H01Q7/00 H01Q23/00

发明 2017105646856 瞬态电压抑制器及其制作方法

【半导体芯片制造】（半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件） 【半导体芯片制造半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件】 1人

H01L27/02 H01L27/08 H01L29/06 H01L29/866 H01L21/265 H01L21/266 H01L21/8222 H01L21/329

发明 2016111838948 用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法

半导体器件制造技术 1人

H01L21/329 H01L29/868 H01L29/20 H01Q1/22 H01Q1/36

发明 2021111329192 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法

肖特基势垒晶体管 金属-半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 栅电极 2人

H01L29/78 H01L21/336

发明 2021110145312 源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法

肖特基势垒晶体管 隧道晶体管 编程晶体管 金属-半导体接触 芯片 2人

H01L29/788 H01L21/336

发明 2021110125639 低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法

芯片 晶体管 半导体 低导通电阻 高集成低功耗CCMOS集成电路 芯片 晶体管 半导体 低导通电阻 2人

H01L29/786 H01L21/336 G06F15/78

发明 2021108001712 高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法

高低肖特基势垒 数字逻辑电路 半导体 硅晶圆衬底 高低肖特基势垒 无掺杂技术数字芯片设计制造 XNOR逻辑高集成化 数字逻辑电路 半导体 硅晶圆衬底 2人

H01L29/786 H01L27/12 H01L21/336 H01L21/77

发明 2021107690760 低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法

晶体管 异或非门逻辑 数字逻辑电路 半导体 低功耗集成电路制造 晶体管 异或非门逻辑 数字逻辑电路 半导体 2人

H01L29/786 H01L27/12 H01L21/336 H01L21/77

发明 2017105646822 瞬态电压抑制器及其制作方法

电压抑制器 半导体芯片 电路保护 1人

H01L27/02 H01L29/866 H01L21/329

发明 2020114709860 一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法

1人

H03K7/08 H01L29/778 H01L29/20

发明 202011470924X 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件

1人

H01L29/06 H01L29/40 H01L29/778 H01L29/20