发明 2020107944847 一种内台面强负阻开关二极管

二极管 电子器件 半导体 （二极管 半导体） 1人

H01L29/861 H01L23/48 H01L23/367 H01L23/08

发明 2021100706306 全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法（半导体）

半导体 2人

H01L29/41 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336

发明 2020106589655 一种具有多晶硅电子通道的SA-LIGBT器件

1人

H01L29/739 H01L29/06

发明 2021108120478 一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

1人

H01L29/739 H01L29/20 H01L29/06

发明 2021109149327 一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

1人

H01L29/20 H01L29/06 H01L29/739

发明 202210553866X 具有双沟槽的4H-SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件

1人

H01L29/739 H01L29/06

发明 2020100929066 一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构

1人

H01L29/872 H01L29/40

发明 2020107313214 一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件

1人

H01L29/739 H01L29/40 H01L29/06 H01L27/06

发明 2020111201705 一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构

1人

H01L29/861 H01L29/868 H01L29/06

发明 2020114815910 一种具有集电极多晶硅电子通道的RC-IGBT器件

1人

H01L29/739 H01L29/08

发明 2019100235635 一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件

1人

H01L27/12 H01L29/06 H01L29/08

发明 2019102139844 一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件

1人

H01L29/06 H01L29/739 H01L27/06

发明 2021103625508 一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件

1人

H01L29/78 H01L29/06

发明 2021107452175 一种具有电荷积累效应的超结EA-SJ-FINFET器件

1人

H01L29/06 H01L29/78

发明 2021110612659 一种衬底集成反并联续流二极管的RC-LIGBT器件

1人

H01L29/06 H01L29/739

发明 2019108034992 一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件

1人

H01L29/739 H01L21/331 H01L29/06

发明 2019108776352 一种具有多通道电流栓的SA-LIGBT器件

1人

H01L29/08 H01L29/739

发明 2019109547793 一种利用结终端集成横向续流二极管的RC-IGBT器件

1人

H01L29/06 H01L29/739

发明 2020114078613 一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件

1人

H01L29/78 H01L29/10 H01L29/423

发明 2020114171754 一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件

1人

H01L29/78 H01L29/10