符合条件的538条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 202210843165X 一种硒化银/单壁碳纳米管柔性复合薄膜及其制备方法及应用

1人

H01L35/34 H01L35/22 C01B19/00 C01B32/159 C01B32/168

未下证 学校

发明 2022104566357 一种新型功率器件封装结构

1人

H01L23/31 H01L23/13

未下证 企业

发明 2018103199532 纳米结构转印方法及利用堆栈方法制备多层纳米结构的方法

纳米结构 纳米材料 纳米结构 纳米材料 1人

B41M5/382 B41M5/42 H01L51/56

已下证 学校

发明 2024112629376 一种半导体芯片浸蚀装置

芯片 半导体 1人

H01L21/67

未下证 企业

发明 2020112022929 散热鳍片的热管弯管组装设备

1人

H01L33/64

已下证 企业

发明 202011202396X 散热鳍片的热管弯管装置

1人

H01L33/64

已下证 企业

发明 2010101300804 发光二极管及其制作方法

1人

H01L27/15 H01L33/64

已下证 企业

发明 2014101510092 LED多杯集成一体化COB光源及其封装方法

LED芯片封装 1人

H01L25/13 H01L33/62

已下证 企业

发明 2018101761169 一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法(半导体)

【半导体器件 光学器件 半导体芯片 芯片制造 晶圆加工 光刻】 无费减 1人

C30B29/54 C30B7/00 H01L21/8238

已下证 学校

发明 2021102752826 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法(半导体)

半导体 1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423

已下证 企业

发明 2020116228475 鳍式场效应管及其制作方法(半导体)

半导体 1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

已下证 企业

发明 2020113885117 衬底浓度确定方法、装置、计算机设备及可读存储介质(半导体)

半导体 1人

H01L21/66

已下证 企业

发明 2020115385549 一种参数化单元及其实现方法(半导体集成电路)

半导体 集成电路 1人

G06F30/39 H01L29/66

已下证 企业

发明 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法(半导体)

半导体 1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

已下证 企业

发明 2021102866653 一种晶体管及其制作方法(半导体)

半导体 1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/08 H01L29/06

已下证 企业

发明 202011456803X 一种侦测结构、及STI异常孔洞的侦测方法(集成电路)

集成电路 1人

H01L21/66

已下证 企业

发明 2021113951791 一种发光二极管封装设备

电子元器件 二极管 3人

H01L21/67 H10H20/852

已下证 个人

发明 2018101241253 一种具有牵引机构的太阳能薄膜电池输送装置

太阳能电池 光伏电池 储能 太阳能 光伏 1人

H01L31/18

已下证 企业

发明 201910104496X 一种上转换荧光增强衬底及其制备方法

纳米材料制备 二氧化钛 光电器件 荧光检测 1人

G01N21/552 G01N21/64 H01L31/0232 H01L31/0236 H01L31/055

已下证 学校

发明 2016109539914 一种浮栅型柔性低电压有机场效应晶体管存储器

2人

H01L51/05 H01L51/10 H01L51/30 H01L51/40

已下证 学校
538条数据 ,7/27