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发明 2018106845300 Sn20Sb80/Si多层相变薄膜材料及其制备方法

1人

H01L45/00

已下证 学校

发明 2019100203367 多层相变薄膜及制备方法和应用

1人

H01L45/00 H01L21/02 H01L51/00 C08L33/20

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发明 2018101552407 用于高速相变存储器的GeTe/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法

1人

H01L45/00 C23C14/35 C23C14/18

已下证 学校

发明 2019101461489 一种柔性V2O5/Ge2Sb2Te5纳米多层相变薄膜材料及其制备方法

1人

H01L45/00 C23C14/35 C23C14/08 C23C14/06

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发明 2018106149588 Cu/SnSe纳米复合多层相变薄膜及其制备和应用

1人

H01L45/00

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发明 2017101016439 一种Cu-Sn-Se纳米相变薄膜材料及其制备方法和用途

1人

H01L45/00 B82Y30/00 B82Y10/00

已下证 学校

发明 2018109024527 一种具有高热稳定性、低功耗性能的多层相变薄膜材料

1人

H01L45/00 B82Y10/00 B82Y30/00

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发明 2018109034302 一种具有快速转变性能的类超晶格相变薄膜材料

1人

H01L45/00

已下证 学校

发明 2018102572592 一种用于相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料的制备方法

1人

H01L45/00 C23C14/35 C23C14/16 C23C14/18 B82Y30/00 B82Y40/00

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发明 2018102571710 一种用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料

1人

H01L45/00 B82Y30/00 C23C14/18 C23C14/35 C23C14/16 B82Y40/00

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发明 2015102065630 用于高速低功耗相变存储器的Ge/Sb类超晶格相变薄膜材料及其制备方法

15天 1人

H01L45/00 B82Y30/00 B82Y40/00 C23C14/35 C23C14/16 C23C14/18

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发明 2016108514110 一种Sb70Se30/SiO2多层纳米复合相变薄膜材料及其制备方法和应用

15天 1人

H01L45/00 B82Y30/00

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发明 2018101152122 硅胶仿生指尖触-压觉敏感器件

1人

H01L41/053 H01L45/00 B06B1/14

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