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发明 2020111201705 一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构

1人

H01L29/861 H01L29/868 H01L29/06

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发明 2016111838948 用于多层全息天线的GaAs基横向等离子pin二极管的制备方法

半导体器件制造技术 1人

H01L21/329 H01L29/868 H01L29/20 H01Q1/22 H01Q1/36

已下证 个人