符合条件的1条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2023112717705 一种具有高散热的快恢复二极管框架结构

(二极管 电子器件 半导体器件) 1人

H01L23/367 H01L23/467 H01L23/40 H01L23/32 H01L29/861

未下证 企业