符合条件的13条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2021110145312 源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法 肖特基势垒晶体管 隧道晶体管 编程晶体管 金属-半导体接触 芯片 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2021103625508 一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2021107452175 一种具有电荷积累效应的超结EA-SJ-FINFET器件 1人 |
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发明 2020114078613 一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2020114171754 一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件 1人 |
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发明 2021100706306 全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法(半导体) 半导体 2人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021111329192 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法 肖特基势垒晶体管 金属-半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 栅电极 1人 |
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发明 2021102752826 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法(半导体) 半导体 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2020116228475 鳍式场效应管及其制作方法(半导体) 半导体 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法(半导体) 半导体 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021102866653 一种晶体管及其制作方法(半导体) 半导体 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2019800003918 1T1R阻变式存储器及其制作方法、晶体管和设备 RRAM 存储器 内存 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2017108584993 一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 半导体器件 显示器件 半导体器件 显示器件 1人 |
已下证 | 学校 |