符合条件的11条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2021109600453 一种电池均衡电路中开关管寄生参数回路识别与抑制方法 2人 |
未下证 | 企业 | ||||
发明 2021111329192 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法 肖特基势垒晶体管 金属-半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 栅电极 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2021110145312 源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法 肖特基势垒晶体管 隧道晶体管 编程晶体管 金属-半导体接触 芯片 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2021110125639 低导通电阻可重构计算芯片用晶体管及制造方法 芯片 晶体管 半导体 低导通电阻 高集成低功耗CCMOS集成电路 芯片 晶体管 半导体 低导通电阻 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2021108001712 高低肖特基势垒无掺杂XNOR逻辑数字芯片及制造方法 高低肖特基势垒 数字逻辑电路 半导体 硅晶圆衬底 高低肖特基势垒 无掺杂技术数字芯片设计制造 XNOR逻辑高集成化 数字逻辑电路 半导体 硅晶圆衬底 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2021107690760 低功耗双层阻挡接触式双向异或非门集成电路及制造方法 晶体管 异或非门逻辑 数字逻辑电路 半导体 低功耗集成电路制造 晶体管 异或非门逻辑 数字逻辑电路 半导体 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2021102752826 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法(半导体) 半导体 2人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021100706306 全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法(半导体) 半导体 2人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法(半导体) 半导体 2人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021102866653 一种晶体管及其制作方法(半导体) 半导体 2人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2020116228475 鳍式场效应管及其制作方法(半导体) 半导体 1人 |
已下证 | 企业 |