符合条件的12条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2021108120478 一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 1人 |
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发明 2021109149327 一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管 1人 |
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发明 202210553866X 具有双沟槽的4H-SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件 1人 |
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发明 2020107313214 一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件 1人 |
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发明 2020114815910 一种具有集电极多晶硅电子通道的RC-IGBT器件 1人 |
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发明 2021110612659 一种衬底集成反并联续流二极管的RC-LIGBT器件 1人 |
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发明 202010092899X 一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件 1人 |
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发明 2019102139844 一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件 1人 |
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发明 2019108034992 一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件 1人 |
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发明 2019108776352 一种具有多通道电流栓的SA-LIGBT器件 1人 |
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发明 2019109547793 一种利用结终端集成横向续流二极管的RC-IGBT器件 1人 |
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发明 2020106589655 一种具有多晶硅电子通道的SA-LIGBT器件 1人 |
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