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发明 2020100929066 一种SiC肖特基二极管三阶斜台面结终端结构

1人

H01L29/872 H01L29/40

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发明 2020107313214 一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件

1人

H01L29/739 H01L29/40 H01L29/06 H01L27/06

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发明 202011470924X 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件

1人

H01L29/06 H01L29/40 H01L29/778 H01L29/20

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