批量导出勾选专利
符合条件的1条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 202011470924X 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件

1人

H01L29/06 H01L29/40 H01L29/778 H01L29/20

已下证 学校