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发明 2017105646856 瞬态电压抑制器及其制作方法

【半导体芯片制造】（半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件） 【半导体芯片制造半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件】 1人

H01L27/02 H01L27/08 H01L29/06 H01L29/866 H01L21/265 H01L21/266 H01L21/8222 H01L21/329

已下证 企业

发明 202011470924X 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件

1人

H01L29/06 H01L29/40 H01L29/778 H01L29/20

已下证 学校