| 符合条件的2条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2020106579051 一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件 半导体技术 功率半导体器件 电压控制 高压集成电路 微电子技术 4人 |
未下证 | 学校 | ||||
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发明 202011470924X 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件 1人 |
已下证 | 学校 |
