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发明 2021110145312 源漏辅助可编程单栅肖特基势垒晶体管及制造方法

肖特基势垒晶体管 隧道晶体管 编程晶体管 金属-半导体接触 芯片 1人

H01L29/788 H01L21/336

已下证 学校

发明 2021100706306 全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法(半导体)

半导体 2人

H01L29/41 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336

已下证 企业

发明 2021111329192 深浅组合肖特基势垒隧道晶体管及其制造方法

肖特基势垒晶体管 金属-半导体接触 集成电路设计制造 隧穿晶体管 栅电极 1人

H01L29/78 H01L21/336

已下证 学校

发明 2021102752826 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法(半导体)

半导体 1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423

已下证 企业

发明 2020116228475 鳍式场效应管及其制作方法(半导体)

半导体 1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

已下证 企业

发明 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法(半导体)

半导体 1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

已下证 企业

发明 2021102866653 一种晶体管及其制作方法(半导体)

半导体 1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/08 H01L29/06

已下证 企业