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H01L21/268
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发明
2020116196972
一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法
微纳米制造
化学刻蚀
半导体制造
芯片制造
(微纳米制造
1人
H01L21/263
H01L21/268
未下证
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