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发明 2020111980634 一种离子布植方法、装置及设备（半导体）

【半导体 集成电路 半导体制程 半导体芯片 离子束流】 2人

H01L21/265 H01J37/317

已下证 企业

发明 2017105646856 瞬态电压抑制器及其制作方法

【半导体芯片制造】（半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件） 【半导体芯片制造半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件】 1人

H01L27/02 H01L27/08 H01L29/06 H01L29/866 H01L21/265 H01L21/266 H01L21/8222 H01L21/329

已下证 企业