| 符合条件的3条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2014100694864 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法 2人 |
已下证 | 学校 | ||||
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实用 2023232236205 一种N型碳化硅单晶生长用坩埚 企业 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
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实用 2023232657914 一种PVT法生产碳化硅单晶设备 企业 1人 |
已下证 | 企业 |
