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发明 2021113179255 一种高温高压条件下低钛的干的镁橄榄石单晶的制备方法

镁橄榄石单晶 耐高温材料 新材料 矿石加工 矿物加工 1人

B01J3/06 C30B1/12 C30B29/34

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发明 2023107345609 一种极灵敏检测水相奥硝唑的发光晶体材料及其制备方法

【功能材料 光致变色材料 高分子化合物】 功能材料 光致变色材料 高分子化合物 【功能材料 光致变色材料 高分子化合物】 3人

C30B29/58 C30B7/14 G01N21/64

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发明 2021105028465 一种三维无机超分子化合物及其制备方法

超分子材料 晶体工程 新型无机超分子结构 催化 药物载体 1人

C30B29/46 C01G9/00 C30B7/04 C30B7/14

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发明 2020106162240 一种高灵敏水相探测2,4,6-三硝基苯酚的发光晶体材料的制备方法和产品

高校已变 化学 冶金 检测爆炸物 烟花 染料 2人

C30B29/54 C30B7/10 C07F3/06 C09K11/06 G01N21/64

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发明 2020105432967 一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法

微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 3人

C30B29/06 C30B33/12 C30B33/04 C30B33/02

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发明 2016102610839 一种单斜相BiVO4/GO/RGO晶体及其制备方法

半导体材料 光电气敏 光致发光 环保 高校未变 1人

C30B7/10 C30B29/10

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发明 2016102610985 一种Bi/RGO晶体及其制备方法

半金属 冶金添加剂 医药治疗 阻燃剂 电子材料领域 1人

C30B29/00 C30B7/14

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发明 2016102611615 一种具有吸附性能的BiVO4/RGO晶体及其制备方法

染料 铌酸盐 钒酸盐 钽酸盐 高校未变 1人

C30B29/30 C30B29/02 C30B7/10

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发明 2016100642939 一种Y2Si2O7晶须及其制备方法【特价】

1人

C30B29/34 C30B29/62 C30B25/00

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发明 201810692725X 一种具有三阶非线性光学性能的W/S/Cu簇-金属晶体材料的制备方法及晶体材料(只有电子证书)

光电效应 光信息处理 光存储 光计算 激光仪器 2人

G02F1/355 C30B29/54 C30B7/00

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发明 2018106927334 一种具有光限制能力的W/S/Cu簇-金属框架晶体材料的制备方法及晶体材料(只有电子证书)

光电效应 光信息处理 光存储 光计算 激光仪器 2人

C30B29/54 C30B7/00 G02F1/355

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发明 2019104627927 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法

1人

C30B29/46 C30B25/00

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发明 2022109270778 以固废前驱体低温制备高长径比防辐射莫来石晶须的方法

高校已变 热处理 建筑材料 陶瓷基复合材料 半导体 电子封装材料 填充材料 耐火材料 2人

C30B1/02 C30B1/10 C30B29/34 C30B29/62 B09B3/35 B09B3/40 B09B101/55 B09B101/60

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发明 2019109662433 一种HMX大单晶的快速制备方法(特价)

炸药 晶体材料 特价 1人

C06B25/34 C30B7/06 C30B29/54

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发明 2021110349748 一种用于晶圆铸块成形的熔炉设备(半导体集成电路、晶圆加工、硅晶片、多晶硅)

半导体集成电路 晶圆加工 硅晶片 多晶硅 【半导体集成电路 晶圆加工 硅晶片 多晶硅】 6人

C30B11/00 C30B29/06

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发明 2017113882598 单晶炉的自动加料装置及其操作方法(单晶炉 单晶硅 半导体 芯片 电路板 PCB板)

【单晶炉 单晶硅 半导体 芯片 电路板 PCB板】 3人

C30B15/02 C30B29/06

已下证 企业

发明 2021111985416 一种单晶硅炉

单晶硅炉 石英坩埚 单晶硅棒加工 非金属元素 半导体材料生产 1人

C30B15/00 C30B29/06 C30B15/30

已下证 企业

发明 2019109947635 提纯硅的装置(半导体硅 硅片 晶体 芯片)

半导体硅 硅片 晶体 芯片 【半导体硅 硅片 晶体 芯片】 1人

C30B29/06 C30B28/06

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发明 2019108978918 一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法(坩埚)

坩埚 太阳能电池 光伏组件 半导体芯片 集成电路 1人

C30B28/06 C30B29/06

已下证 企业

发明 2014100694864 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法

2人

C30B23/02 C30B29/52 B82Y40/00

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