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发明 2020114709860 一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法

1人

H03K7/08 H01L29/778 H01L29/20

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发明 202011470924X 一种同时优化击穿特性和反向特性的GaN HEMT器件

1人

H01L29/06 H01L29/40 H01L29/778 H01L29/20

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