符合条件的5条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2021100706306 全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法(半导体) 半导体 2人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021102752826 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法(半导体) 半导体 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2020116228475 鳍式场效应管及其制作方法(半导体) 半导体 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法(半导体) 半导体 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2020114078613 一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件 1人 |
已下证 | 学校 |