符合条件的3条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2021102752826 一种鳍式场效应晶体管及其制作方法(半导体)

1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/423

已下证 企业

发明 2021100706306 全环绕闸极垂直贯穿式晶体管及其制备方法(半导体)

1人

H01L29/41 H01L29/423 H01L29/78 H01L21/336

已下证 企业

发明 2021102132645 全环绕闸极水平贯穿式晶体管及其制备方法(半导体)

1人

H01L29/78 H01L29/423 H01L21/336

已下证 企业