批量导出勾选专利
符合条件的2条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2020114078613 一种具有体内导电沟道的薄层SOI-LDMOS器件

1人

H01L29/78 H01L29/10 H01L29/423

已下证 学校

发明 2020114171754 一种具有表面和体内双沟道的横向超结薄层SOI-LDMOS器件

1人

H01L29/78 H01L29/10

已下证 学校