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H01L29/06
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授权年
更新时间
发明
2020106579051
一种具有低阻N型电子通道的超结SOI-LDMOS器件
半导体技术
功率半导体器件
电压控制
高压集成电路
微电子技术
4人
H01L29/78
H01L29/06
未下证
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