发明 2017105646856 瞬态电压抑制器及其制作方法

【半导体芯片制造】（半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件） 【半导体芯片制造半导体芯片制造 瞬态电压抑制器是一种敏感半导体器件】 1人

H01L27/02 H01L27/08 H01L29/06 H01L29/866 H01L21/265 H01L21/266 H01L21/8222 H01L21/329

发明 2019100235635 一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件

1人

H01L27/12 H01L29/06 H01L29/08

发明 2019108034992 一种具有栅控集电极的SA-LIGBT器件

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H01L29/739 H01L21/331 H01L29/06

发明 2020106589655 一种具有多晶硅电子通道的SA-LIGBT器件

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H01L29/739 H01L29/06

发明 2021108120478 一种N衬底沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

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H01L29/739 H01L29/20 H01L29/06

发明 2021109149327 一种异质结注入的沟槽型GaN绝缘栅双极型晶体管

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H01L29/20 H01L29/06 H01L29/739

发明 202210553866X 具有双沟槽的4H-SiC横向绝缘栅双极型晶体管器件

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H01L29/739 H01L29/06

发明 2020107313214 一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件

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H01L29/739 H01L29/40 H01L29/06 H01L27/06

发明 2020111201705 一种基于SiC衬底沟槽型MPS二极管元胞结构

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H01L29/861 H01L29/868 H01L29/06

发明 2021103625508 一种具有电子积累效应的鳍式EAFin-LDMOS器件

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H01L29/78 H01L29/06

发明 202010092899X 一种具有纵向分离阳极的SA-LIGBT器件

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H01L29/739 H01L29/06 H01L29/08

发明 2021102866653 一种晶体管及其制作方法（半导体）

半导体 1人

H01L21/336 H01L29/78 H01L29/08 H01L29/06