符合条件的3条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2021106707618 一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法

1人

H01L21/308 H01L21/306 B81C1/00 C23C14/16 C23C14/35 C23F1/02 C23F1/18 C23F1/38

已下证 科研院所

发明 2017113512872 基于硅通孔的转接板及其制备方法

半导体集成电路 芯片 半导体集成电路 芯片 1人

H01L21/48 H01L23/492 H01L21/306

已下证 企业

发明 2018104910108 一种晶圆的生产工艺

1人

C30B33/10 C30B29/06 H01L21/306

已下证 企业