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发明 2020116196972 一种基于超声波磁场耦合作用硅基刻蚀高深宽比结构及其研究方法

微纳米制造 化学刻蚀 半导体制造 芯片制造 （微纳米制造 1人

H01L21/263 H01L21/268

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