符合条件的2条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2021101607986 一种高集成度热电薄膜器件制备方法

1人

H10N10/01 H10N10/17

已下证 科研院所

实用 2023234501667 一种热电半导体器件冲切装置

【半导体】 1人

B21F11/00 H10N10/01 B21F23/00

已下证 个人