| 符合条件的2条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
发明 2019101943195 一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料及其制备方法 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
|
发明 2019101461690 一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用 1人 |
已下证 | 学校 |
