符合条件的4条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2021107338023 一种非易失性可重置双向开关装置及其制造方法

晶体管 半导体 双向开关 低反向漏电 低功耗集成电路制造 非易失性电荷存储层写入 晶体管 半导体 双向开关 低反向漏电 1人

H10B41/30 H10B43/30

已下证 学校

发明 2020800016569 堆叠式的芯片、制造方法、图像传感器和电子设备(24年下证)

芯片加工方法 CMOS图像传感器 1人

H01L25/16 H10B80/00 H01L21/98 H01L27/146

已下证 企业

发明 2019101943195 一种用于相变存储器的Mg-Sn-Sb薄膜材料及其制备方法

1人

H10B63/10

已下证 学校

发明 2019101461690 一种多级相变V2O5薄膜材料及其制备方法和应用

1人

H10N70/20 H10B63/10

已下证 学校