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发明 201910104496X 一种上转换荧光增强衬底及其制备方法

纳米材料制备 二氧化钛 光电器件 荧光检测 1人

G01N21/552 G01N21/64 H01L31/0232 H01L31/0236 H01L31/055

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发明 201710479913X 一种增强二维过渡金属硫化物光吸收的结构

光电技术 1人

H01L31/0232 H01L31/032 B82Y30/00

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发明 2021116477561 集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法

集成芯片 光电探测器 集成芯片/光电探测器 【集成芯片 光电探测器】 2人

H01L31/105 H01L31/101 H01L31/0232 H01L31/18

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发明 2021116436364 一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法

集成芯片 光电探测器 集成芯片/光电探测器 【集成芯片 光电探测器】 2人

H01L31/105 H01L31/101 H01L31/0232 H01L31/18

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