| 符合条件的3条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2020107313214 一种具有背面双MOS结构的快速关断RC-IGBT器件 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2019102139844 一种具有L型SiO2隔离层的复合型RC-LIGBT器件 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2017105029673 抗电磁干扰的功率器件 半导体 功率器件 （半导体 功率器件） 1人 |
已下证 | 企业 |
