| 符合条件的2条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2020102796478 一种基于电场效应硅基内腔成形的方法 微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 3人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2023112547691 一种IGBT器件的状态参数采集方法（IGBT器件即绝缘栅双极型晶体管 IGBT插针 IGBT模块 半导体器件 IGBT芯片 三极管 电力电子 IGBT应用于交流电驱动系统 电力变换 工业自动化） IGBT插针 IGBT模块 半导体器件 三极管 电力电子 1人 |
未下证 | 企业 |
