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发明 2015107629466 一种三维非催化基底负载石墨烯薄膜结构及其在低温环境下的制备方法

1人

C23C16/26 C30B28/14 C30B29/02

已下证 科研院所

发明 201910450296X 一种利用多转体实现超高纯铝纯化晶析的方法

铝业 金属铝提纯 纯铝纯化 纯铝生产 铝冶炼 1人

C22B21/06 C30B29/02 C30B11/00 C30B28/06

已下证 企业

发明 201810692725X 一种具有三阶非线性光学性能的W/S/Cu簇-金属晶体材料的制备方法及晶体材料(只有电子证书)

光电效应 光信息处理 光存储 光计算 激光仪器 2人

G02F1/355 C30B29/54 C30B7/00

已下证 学校

发明 2018106927334 一种具有光限制能力的W/S/Cu簇-金属框架晶体材料的制备方法及晶体材料(只有电子证书)

光电效应 光信息处理 光存储 光计算 激光仪器 2人

C30B29/54 C30B7/00 G02F1/355

已下证 学校

发明 2016102610839 一种单斜相BiVO4/GO/RGO晶体及其制备方法

半导体材料 光电气敏 光致发光 环保 高校未变 1人

C30B7/10 C30B29/10

已下证 学校

发明 2016102610985 一种Bi/RGO晶体及其制备方法

半金属 冶金添加剂 医药治疗 阻燃剂 电子材料领域 1人

C30B29/00 C30B7/14

已下证 学校

发明 2016102611615 一种具有吸附性能的BiVO4/RGO晶体及其制备方法

染料 铌酸盐 钒酸盐 钽酸盐 高校未变 1人

C30B29/30 C30B29/02 C30B7/10

已下证 学校

发明 2024115172771 一种单晶炉循环水冷装置

1人

C30B15/00 C30B29/06 F27D9/00

未下证 企业

发明 2021115211467 多场作用下多级定向生长金属材料的制备方法

1人

C30B29/52 C30B29/60 C30B21/06 C30B30/02 C30B30/04 C30B30/06

已下证 学校

发明 2022108691943 多磁场辅助定向凝固制备金属材料的方法及装置

1人

C30B29/52 B22D27/04 C30B11/00 C30B28/06

已下证 学校

发明 2023107345609 一种极灵敏检测水相奥硝唑的发光晶体材料及其制备方法

【功能材料 光致变色材料 高分子化合物】 功能材料 光致变色材料 高分子化合物 【功能材料 光致变色材料 高分子化合物】 3人

C30B29/58 C30B7/14 G01N21/64

已下证 学校

发明 2021113179255 一种高温高压条件下低钛的干的镁橄榄石单晶的制备方法

镁橄榄石单晶 耐高温材料 新材料 矿石加工 矿物加工 1人

B01J3/06 C30B1/12 C30B29/34

已下证 科研院所

发明 2016100642939 一种Y2Si2O7晶须及其制备方法【特价】

1人

C30B29/34 C30B29/62 C30B25/00

已下证 学校

发明 2021105028465 一种三维无机超分子化合物及其制备方法

超分子材料 晶体工程 新型无机超分子结构 催化 药物载体 1人

C30B29/46 C01G9/00 C30B7/04 C30B7/14

已下证 学校

发明 2020106162240 一种高灵敏水相探测2,4,6-三硝基苯酚的发光晶体材料的制备方法和产品

高校已变 化学 冶金 检测爆炸物 烟花 染料 2人

C30B29/54 C30B7/10 C07F3/06 C09K11/06 G01N21/64

已下证 学校

发明 2021110349748 一种用于晶圆铸块成形的熔炉设备(半导体集成电路、晶圆加工、硅晶片、多晶硅)

半导体集成电路 晶圆加工 硅晶片 多晶硅 【半导体集成电路 晶圆加工 硅晶片 多晶硅】 6人

C30B11/00 C30B29/06

已下证 企业

发明 2020105432967 一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法

微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 3人

C30B29/06 C30B33/12 C30B33/04 C30B33/02

已下证 学校

发明 2017113882598 单晶炉的自动加料装置及其操作方法(单晶炉 单晶硅 半导体 芯片 电路板 PCB板)

【单晶炉 单晶硅 半导体 芯片 电路板 PCB板】 3人

C30B15/02 C30B29/06

已下证 企业

发明 2019104627927 一种二维二硫化钨薄膜的制备方法

1人

C30B29/46 C30B25/00

已下证 学校

发明 2022109270778 以固废前驱体低温制备高长径比防辐射莫来石晶须的方法

高校已变 热处理 建筑材料 陶瓷基复合材料 半导体 电子封装材料 填充材料 耐火材料 2人

C30B1/02 C30B1/10 C30B29/34 C30B29/62 B09B3/35 B09B3/40 B09B101/55 B09B101/60

已下证 学校
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