| 符合条件的3条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2014100694864 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法 2人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2021115211467 多场作用下多级定向生长金属材料的制备方法 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2022108691943 多磁场辅助定向凝固制备金属材料的方法及装置 1人 |
已下证 | 学校 |
