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发明 2015105114094 一种N掺杂SiC纳米针及其应用

1人

C23C16/32 B82Y40/00 C30B25/00 C30B29/36 C30B29/62 H01J1/304

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发明 2013100278703 一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法

1人

C30B29/36 C30B1/00

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发明 2015104049172 SiC纳米阵列

1人

C30B29/36 C30B1/00 H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00

已下证 学校

发明 2015104040125 调控SiC纳米阵列密度的方法

1人

C30B29/36 C30B1/00 H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00

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发明 2015105108962 一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法

1人

C30B29/36 C30B29/62

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实用 202323223734X 一种用于消除碳化硅晶体边缘环形形貌的保温装置

企业 1人

C30B33/02 C30B29/36

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实用 2023232236205 一种N型碳化硅单晶生长用坩埚

企业 1人

C30B23/00 C30B29/36

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实用 2023232657914 一种PVT法生产碳化硅单晶设备

企业 1人

C30B23/00 C30B29/36 F27D17/00 B01D46/64 B01D46/10 B01D46/12

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