符合条件的35条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2015105114094 一种N掺杂SiC纳米针及其应用

1人

C23C16/32 B82Y40/00 C30B25/00 C30B29/36 C30B29/62 H01J1/304

已下证 学校

发明 2013100278703 一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法

1人

C30B29/36 C30B1/00

已下证 学校

发明 2015104049172 SiC纳米阵列

1人

C30B29/36 C30B1/00 H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00

已下证 学校

发明 2015104040125 调控SiC纳米阵列密度的方法

1人

C30B29/36 C30B1/00 H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00

已下证 学校

发明 2015105108962 一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法

1人

C30B29/36 C30B29/62

已下证 学校

发明 201510511447X 一种SiC一维纳米材料及其应用

1人

C30B29/60 C30B29/10 B82Y20/00

已下证 学校

发明 2019104202999 一种硫酸铯镁非线性光学晶体及其制法和用途

1人

C30B11/00 C30B29/46 G02F1/355

已下证 学校

发明 2018111022657 一种磷酸锂铯钇非线性光学晶体及其制备方法与应用

1人

C30B29/14 C30B11/00 G02F1/355

已下证 学校

发明 2016100306586 一种半水石膏单晶定向生长的控制方法

1人

C30B7/14 C30B29/46

已下证 学校

发明 200910216384X 一种晶种醇热法制备硫酸钙晶须的方法

1人

C30B29/62 C30B29/46

已下证 学校

发明 2021104831907 一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法

1人

C22B41/00 C22B1/02 C22B7/00 C30B28/04 C30B29/08

已下证 学校

发明 2021100303771 一种高定向热解石墨的制备方法

1人

C30B28/14 C30B29/02

已下证 学校

发明 2021104877328 一种基于分层式装料方式的再生多晶硅铸锭工艺

1人

C30B28/06 C30B29/06

已下证 学校

发明 2018106605275 一种利用反应离子刻蚀制备高效陷光绒面的方法

1人

H01L31/0236 H01L31/18 C30B33/12

已下证 学校

发明 2015104594145 一种四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶及其制备方法

加压法 离子导电 铁电 铁磁 超导 3人

C30B7/10 C30B29/16 C30B29/64

已下证 学校

发明 2016102610839 一种单斜相BiVO4/GO/RGO晶体及其制备方法

半导体材料 光电气敏 光致发光 环保 高校未变 3人

C30B7/10 C30B29/10

已下证 学校

发明 2016102610985 一种Bi/RGO晶体及其制备方法

半金属 冶金添加剂 医药治疗 阻燃剂 电子材料领域 3人

C30B29/00 C30B7/14

已下证 学校

发明 2016102611615 一种具有吸附性能的BiVO4/RGO晶体及其制备方法

染料 铌酸盐 钒酸盐 钽酸盐 高校未变 3人

C30B29/30 C30B29/02 C30B7/10

已下证 学校

发明 2020111137751 一种多孔铜基晶须材料的制备方法

金属制品 有色金属 铜合金 铜基材 多孔铜 7人

C30B29/62 C30B29/02 C30B1/00 C22C1/04 B22F3/11 C23F1/36 C23C14/06 C23C14/28 C25F3/04 B01J32/00

已下证 个人

发明 2019104142644 一种内部缺陷规则排列的三维光子晶体的制备方法

微纳米 硅基材料 激光加工 芯片 半导体 3人

C30B30/00

已下证 学校
35条数据 ,1/2