符合条件的116条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2019104298686 一种抗疲劳高熵合金薄膜及其制备方法

1人

C23C14/16 C23C14/35 C23C14/58 C22C30/00

已下证 学校

发明 2018108338527 一种粉芯丝材及其电弧熔敷制备的耐低温高熵合金

1人

C22C30/02 C23C4/131 C23C4/073 C23C4/08 C23C4/123

已下证 学校

发明 2018108357265 一种电弧熔敷粉芯丝材及其高熵合金涂层的制备方法

1人

C22C30/02 C23C4/131 C23C4/08

已下证 学校

发明 2021102871948 一种极寒环境用高熵合金的制备方法与应用

1人

C22C1/02 C22C30/00 B22D17/00 C22F1/00 C23C8/24

已下证 学校

发明 2021102872103 一种被动重型防弹装甲用高熵合金的制备方法与应用

1人

C22C1/02 C22C30/00 C22F1/02 C22F1/00 B22F3/115 F41H5/00 F41H1/06

已下证 学校

发明 2022104303296 一种轨道交通用的轻质高熵复合材料及其制备方法

1人

C22C21/00 C22C30/00 B22F9/04 B22F9/08 C22F1/04 B22D17/00

已下证 学校

发明 2019104298667 一种高熵合金与金属玻璃的多层复合薄膜及制备方法

1人

C23C14/35 C23C14/14 C23C14/02 C22C30/00

已下证 学校

发明 2018109215187 一种电弧熔覆用的高熵合金实心丝材及其制备方法

1人

C22C30/00 C22C1/04 B22F3/115 C23C24/10

已下证 学校

发明 2020104008116 一种Laves相和Sigma相协同弥散强化的高熵合金涂层及其制备方法和应用

1人

C22C30/00 B22F1/00 C23C24/10

已下证 学校

发明 2022109979943 一种对甲苯磺酰氧基取代低聚乙二醇丙酸叔丁酯的制备方法

1人

C07C303/28 C07C309/73 C07C303/44

已下证 学校

发明 2021105473887 一种配体促进铁催化氧化芳香族化合物碳-氢键合成酚的方法

1人

C07B41/02 C07C37/60 C07C41/26 C07C45/64 C07C51/367 C07C67/31 C07C201/12 C07C231/12 C07C303/40 B01J31/22 C07C253/30 C07D207/263 C07D263/24 C07D213/69 C07F5/02 C07D263/58

已下证 学校

发明 2019105905012 一种离子型共聚物的制备及其用于自组装改性聚丙烯微孔膜的方法

1人

C08F226/02 C08F220/38 C08J7/12 C08J7/14 C07C303/32 C07C309/24 H01M50/414 H01M10/0525 C08L23/12

已下证 学校

发明 2017102099693 一种感应加热高熵合金钎焊单层金刚石砂轮的方法

金刚石 砂轮 高熵合金 钎焊 【金刚石 砂轮 高熵合金 钎焊】 1人

B24D18/00 B22F1/00 C22C30/02 C22C30/04

已下证 学校

发明 2021104831907 一种从掺锗废旧光纤中回收和利用锗的方法

1人

C22B41/00 C22B1/02 C22B7/00 C30B28/04 C30B29/08

已下证 学校

发明 2015105114094 一种N掺杂SiC纳米针及其应用

1人

C23C16/32 B82Y40/00 C30B25/00 C30B29/36 C30B29/62 H01J1/304

已下证 学校

发明 2013100278703 一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法

1人

C30B29/36 C30B1/00

已下证 学校

发明 2015104049172 SiC纳米阵列

1人

C30B29/36 C30B1/00 H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00

已下证 学校

发明 2015104040125 调控SiC纳米阵列密度的方法

1人

C30B29/36 C30B1/00 H01J1/304 C01B31/36 B82Y30/00

已下证 学校

发明 2015105108962 一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法

1人

C30B29/36 C30B29/62

已下证 学校

发明 201510511447X 一种SiC一维纳米材料及其应用

1人

C30B29/60 C30B29/10 B82Y20/00

已下证 学校
116条数据 ,5/6