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发明 2020110873014 植物染料朱顶红染色制得的红色莱赛尔面料及其制备方法

纺织面料 天然染料 服装服饰 【纺织面料 天然染料 服装服饰】 2人

D06P1/34 D06P1/384 D06P3/60 D06P3/66 D06P5/10 C09B61/00 C07C303/24 C07C305/06 C07C319/14 C07C323/64 C07C315/02 C07C317/28 C09B62/503

已下证 学校

发明 2019109947635 提纯硅的装置(半导体硅 硅片 晶体 芯片)

半导体硅 硅片 晶体 芯片 【半导体硅 硅片 晶体 芯片】 1人

C30B29/06 C30B28/06

已下证 学校

发明 201710995174X 一种复合涂层耐磨球的制备方法

冶金矿山 水泥建材 火力发电 粉料生产与加工 2人

C23C4/134 C23C4/06 C22C30/00 C22C33/08 C22C37/08 C22C37/10 B02C17/20

已下证 企业

发明 2018112322381 复合金属箔及其制造方法

金属材料 合金 硬质合金 金属材料 合金 硬质合金 【金属材料 合金 硬质合金 】 2人

B21B1/46 B21B1/38 C22C5/06 C22C9/04 C22C30/02 C22C30/06

已下证 个人

发明 2019108978918 一种多晶硅用具有保温结构的生产设备及其使用方法(坩埚)

坩埚 太阳能电池 光伏组件 半导体芯片 集成电路 1人

C30B28/06 C30B29/06

已下证 企业

发明 2014100694864 一种在InP衬底上外延生长II型GaSb/InGaAs量子点的方法

2人

C30B23/02 C30B29/52 B82Y40/00

已下证 学校

发明 2015104594145 一种四棱台薄片状Bi2O3纳米单晶及其制备方法

加压法 离子导电 铁电 铁磁 超导 1人

C30B7/10 C30B29/16 C30B29/64

已下证 学校

发明 2018100570215 一种具有双峰金字塔绒面结构的单晶硅片(单晶硅片、半导体器件、半导体材料、太阳能电池)

单晶硅片 半导体器件 半导体材料 太阳能电池 【单晶硅片 半导体器件 半导体材料 太阳能电池】 6人

C30B29/06 C30B33/10

已下证 企业

发明 2018104910108 一种晶圆的生产工艺

半导体制造 集成电路板 芯片加工 硅晶片加工 电子元件 4人

C30B33/10 C30B29/06 H01L21/306

已下证 企业

发明 2015107629466 一种三维非催化基底负载石墨烯薄膜结构及其在低温环境下的制备方法

1人

C23C16/26 C30B28/14 C30B29/02

已下证 科研院所

发明 202110851729X 一种高强韧耐腐蚀FeCoNiCuAl高熵合金吸波材料、制备方法及用途

2人

C22C1/04 C22C30/02 H05K9/00

已下证 学校

发明 2020114803716 磺化粗酚Bola型表面活性剂及其合成方法和应用

石油助剂 稠油开采 【石油助剂 稠油开采】 石油助剂 稠油开采 2人

C09K8/584 C07C309/42 C07C303/06

已下证 学校

发明 2021114991245 一种高温高压条件下制备硅灰石单晶的方法

硅酸盐矿物 矿石 矿产材料 矿物岩石 硅酸钙矿物 2人

C30B1/12 C30B29/22 C30B1/02

已下证 科研院所

发明 2020101599824 一种温和的二芳基取代苯磺酰肿的合成方法

医药中间体 化学试剂 有机化学合成 1人

C07C303/40 C07C311/49

已下证 学校

发明 2018101761169 一种有机单晶微米带P-N异质结阵列的生长方法(半导体)

【半导体器件 光学器件 半导体芯片 芯片制造 晶圆加工 光刻】 无费减 1人

C30B29/54 C30B7/00 H01L21/8238

已下证 学校

发明 202110431340X 一种离子型氢键有机骨架材料及其制备方法和应用【特价】

1人

C08G83/00 C07D213/89 C07C309/35 H01M8/1018 H01M8/1067 H01M8/1072

已下证 学校

发明 2023117648078 一种油气田用表面活性剂及其制备方法(石油,油田,油气,活性剂,石油助剂)

石油 油田 油气 活性剂 石油助剂 2人

C07C303/32 C07C309/14 C09K8/584

未下证 企业

发明 2020102773298 一种石英晶片生产专用刻蚀设备及其使用方法

石英晶片生产 半导体器件 1人

H01L21/67 C30B33/10 C30B29/18

已下证 个人

发明 2016100672046 一种Yb2Si2O7晶须及其制备方法

15天 1人

C30B9/12 C30B29/34 C30B29/62

已下证 学校

发明 2020109410191 一种微波烧结制备面心立方型含硼高熵合金及其制备方法

2人

C22C1/05 C22C1/10 C22C30/02 B22F9/04 B22F3/105

已下证 学校
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