符合条件的2条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2017102543449 一种HoSrMnNi/HoSrMnZn共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法

光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 3人

C23C18/12 C23C18/04 C01G53/00 C01G45/00

已下证 学校

发明 2018114978944 一种具有高磁性能的YDMO薄膜及其制备方法

采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 1人

C23C18/12 C23C18/04 H01F41/22 H01F41/24

已下证 学校