| 符合条件的2条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
发明 2018115110939 一种常压多层CVD反应器 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
|
发明 2018100901523 化学气相沉积法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统 石墨烯合成 半导体合成 2人 |
已下证 | 学校 |
