| 符合条件的2条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2018100901523 化学气相沉积法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统 石墨烯合成 半导体合成 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 201810678354X 一种用于制备新材料的化学气相沉积装置 新材料 气相 【新材料 气相】 【新材料 化学 气相沉积】 1人 |
已下证 | 个人 |
