| 符合条件的9条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2021111403148 一种采用退镀工艺制备图案化电极的方法 1人 C25F5/00 C25F7/00 C23C14/35 C23C14/18 C23C14/16 C25D7/12 C25D3/38 G03F7/00 |
已下证 | 科研院所 | ||||
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发明 201811121639X 一种层数可控的稀土铒掺杂二硫化钨薄膜材料制备方法 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2018100072756 一种网状金银复合纳米薄膜的制备方法 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2019100666918 一种提高TCO薄膜综合光电特性的激光加工方法 导电薄膜 透明膜 （导电薄膜 透明膜） 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2015109832718 一种电触头材料 电力 开关 电流 高压断路器 开关柜 3人 C22C9/00 C22C1/05 C22C9/04 C22C9/01 C23C14/35 C23C14/18 B22F9/04 B22F3/14 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2015109833458 一种银基电触头复合材料及其制备方法 电力 开关 电流 高压断路器 开关柜 3人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2015109833585 一种铜铬电触头材料及其制备方法 电力 开关 电流 高压断路器 开关柜 3人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2018104715887 一种金属纳米线网络、及其制备方法 纳米材料 纳米器件 导电材料 （纳米材料 导电材料） 3人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2020103583036 NiS₂增强石墨烯基SERS装置及其制备方法 1人 C23C28/00 C23C16/26 C23C16/30 C23C16/455 C23C14/18 C23C14/35 G01N21/65 |
已下证 | 个人 |
