符合条件的71条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2017102539477 一种HoSrMnNi共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2017102539636 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2017102543203 一种HoSrMnNi共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2017102543260 一种HoSrMnNi共掺三方铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 201710254342X 一种GdSrMnCo共掺铁酸铋超晶格薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2017102547045 一种LaSrMnCo共掺铁酸铋多铁薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2017101143843 一种具有光响应特性的磷酸铋薄膜及其制备方法和应用 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 C03C17/34 C02F1/30 B01J27/186 B01J35/02 C01B25/26 C02F101/30 |
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发明 2015106345630 一种高铁磁性能和铁电性能的Bi0.9Er0.1Fe1-xCoxO3薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 201510149581X 一种沿(040)晶面取向生长的 BiVO4薄膜的制备方法 光伏 能源 太阳能 新材料 钙钛矿铁电 2人 |
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发明 2015101496282 一种利用仿生法制备 BiVO4薄膜的方法 光降解 环保 光催化 环境净化 高校未变 2人 |
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发明 2015104475019 一种基于胶溶法配置溶胶的溶胶-凝胶法制备Sm2O3薄膜的方法 光电薄膜材料 能量转化材料 溶胶-凝胶法制备 化工 Sm2O3薄膜材料制备 光电薄膜材料 能量转化材料 溶胶-凝胶法制备 化工 2人 |
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发明 2016101881551 一种多铁性Bi0.83Pr0.15Sr0.02Fe0.97-xMn0.03CuxO3-CuFe2O4复合膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2016102012407 一种高磁性Bi0.96Sr0.04FeO3基/CoFe2O4复合薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 2016102610970 一种多孔网状结构BiVO4薄膜及其制备方法 光电 导电薄膜 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 2人 |
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发明 201610890214X 一种(012)晶面择优取向的Bi1-xYbxFe0.98Mn0.02O3铁电薄膜及其制备方法 采用从液相沉积 铁电随机存储器 自旋电子器件 磁电存储单元 光电器件 2人 |
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发明 2019105602683 一种基于水热法快速生长ZnO纳米多孔薄膜的方法 纳米材料 半导体 光电材料 导电薄膜 (纳米材料 2人 |
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发明 2018107898150 含NaNbO3相的Na2O-K2O-Nb2O5-SiO2低介电损耗储能玻璃陶瓷 玻璃陶瓷 储能材料 电容电池 (玻璃陶瓷 电容电池) 2人 |
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发明 2019100219581 一种含硼的玻璃结构紧密的铌酸盐基储能玻璃陶瓷及其制备方法 玻璃陶瓷 储能材料 电容电池 (玻璃陶瓷 电容电池) 2人 |
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发明 2019100219596 一种含SrNb6O16相钛酸盐与铌酸盐复合的低介电损耗的玻璃陶瓷及制备方法 玻璃陶瓷 储能材料 电容电池 (玻璃陶瓷 电容电池) 2人 |
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发明 2017102539621 一种HoSrMnZn共掺铁酸铋/Mn掺铁酸锌复合薄膜及其制备方法 功能材料 复合薄膜 半导体材料 磁性材料 (功能材料 1人 |
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