| 符合条件的11条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2020114227637 电隔离结构及其制备方法 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
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发明 2021111856059 一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用 光伏电池 太阳能电池 半导体材料 电池薄膜 纳米结构制备 2人 H01L31/032 H01L31/0352 H01L31/0392 H01L31/0224 H01L31/052 H01L31/18 H01L21/02 B81B1/00 B81C1/00 B82Y30/00 B82Y40/00 |
未下证 | 学校 | ||||
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发明 2021105640324 一种基于电场控制 Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法 纳米针 纳米材料 （纳米针 纳米材料） 3人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2022103895501 一种改善微测辐射热计中氧化钒与钛电极接触的方法（红外探测及成像领域，广泛用于热敏电阻传感器） 红外探测及成像领域 广泛用于热敏电阻传感器 2人 |
未下证 | 企业 | ||||
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发明 202011422750X 适用于激光隐形切割的划片道结构及其制备方法 【硅片加工 硅片清洗 硅片制备 芯片加工 增强拉曼效应 衬底材料 集成电路 线路板刻蚀 电路板 基板 】 半导体 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
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发明 2019111811987 一种凹槽复合多凸起结构及其制备工艺 【硅片加工 硅片清洗 硅片制备 芯片加工 增强拉曼效应 衬底材料 集成电路 线路板刻蚀 电路板 基板】 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
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发明 2021106707618 一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法 1人 H01L21/308 H01L21/306 B81C1/00 C23C14/16 C23C14/35 C23F1/02 C23F1/18 C23F1/38 |
已下证 | 科研院所 | ||||
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发明 2016104467591 一种B掺杂SiC纳米线大应变系数高灵敏压力传感器 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2020102025051 一种基于薄膜热电器件供电的压力传感系统及其制备方法 1人 |
已下证 | 科研院所 | ||||
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发明 2019109587292 增强散热Cu-Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及制备方法 1人 |
已下证 | 科研院所 | ||||
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发明 2018107302123 一种基于双向脉冲电源的微纳米电极制备装置及制备方法 1人 |
已下证 | 学校 |
