符合条件的1条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2021106604147 一种高热电功率因子碲化锗薄膜及其制备方法

1人

C23C14/02 C23C14/06 C23C14/35 C23C14/58 H10N10/852 H10N10/855

已下证 科研院所