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发明 2021111856059 一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用

光伏电池 太阳能电池 半导体材料 电池薄膜 纳米结构制备 2人

H01L31/032 H01L31/0352 H01L31/0392 H01L31/0224 H01L31/052 H01L31/18 H01L21/02 B81B1/00 B81C1/00 B82Y30/00 B82Y40/00

未下证 学校

发明 2021112014607 一种自驱动光电探测器及其制备方法

光电探测 光纤通信 红外线感应 医学成像 军事侦查 3人

H01L31/108 H01L31/0352 H01L31/0336 H01L31/18

已下证 企业

发明 2019113007088 一种p型AlN薄膜及其制备方法与应用

半导体薄膜 LED材料 光电材料 导电薄膜 (半导体薄膜 2人

H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/103 H01L31/18

已下证 学校

发明 2020100323041 一种光电探测器及其制备方法与应用

半导体薄膜 光学通讯 光电材料 光学成像 生物传感器 1人

H01L31/0304 H01L31/0352 H01L31/105 H01L31/18 B82Y30/00

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