符合条件的12条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2021111856059 一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用 光伏电池 太阳能电池 半导体材料 电池薄膜 纳米结构制备 2人 H01L31/032 H01L31/0352 H01L31/0392 H01L31/0224 H01L31/052 H01L31/18 H01L21/02 B81B1/00 B81C1/00 B82Y30/00 B82Y40/00 |
未下证 | 学校 | ||||
发明 2021109183224 一种P型异质结全背电极接触晶硅光伏电池及其制备方法 太阳能电池 光伏电池 背面电池 PERC电池 3人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2021116436364 一种集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法 集成芯片 光电探测器 集成芯片/光电探测器 【集成芯片 光电探测器】 4人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2020109890926 极化增强窄带 A1GaNp-i-n型紫外探测器及其制备方法 紫外探测器 光电探测 红外热成像 红外遥感 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2019100218216 一种导电特性可调的亚太赫兹波探测器 亚太赫兹波探测 2人 |
已下证 | 个人 | ||||
发明 2019104051081 一种晶体硅光伏电池用铝浆材料及制备方法 1人 |
已下证 | 企业 | ||||
发明 2020106973397 一种与基底表面具有高粘附力的直立Au纳米锥的制备方法 电气元件 材料科学与工程 微纳制造 纳米材料 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2021116477561 集成有双吸收区的光电探测器及其制备方法 集成芯片 光电探测器 集成芯片/光电探测器 【集成芯片 光电探测器】 2人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2019108117054 硅基微米柱/纳米线复合结构的制备方法 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 201710441834X 一种T型顶电极背反射薄膜太阳电池的生产工艺 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2017102626600 一种基于ZnO/CsPbBr3/MoO3结构的纯无机光电探测器 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
发明 2015103384455 一种n-CdSxSe1-x薄膜/石墨烯肖特基结太阳能电池 1人 |
已下证 | 学校 |