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发明 2022109270778 以固废前驱体低温制备高长径比防辐射莫来石晶须的方法

高校已变 热处理 建筑材料 陶瓷基复合材料 半导体 电子封装材料 填充材料 耐火材料 2人

C30B1/02 C30B1/10 C30B29/34 C30B29/62 B09B3/35 B09B3/40 B09B101/55 B09B101/60

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发明 202011118336X 一种四针状晶须增强银氧化锌触头材料的制备方法

(金属基复合材料 开关电器 银氧化锌电触头材料) 1人

C22C1/05 C22C5/06 C22C1/10 C23C18/42 B22F3/105 B22F9/04 C30B7/10 C30B28/04 C30B29/16 C30B29/62 H01H1/021

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发明 2015105114094 一种N掺杂SiC纳米针及其应用

1人

C23C16/32 B82Y40/00 C30B25/00 C30B29/36 C30B29/62 H01J1/304

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发明 2015105108962 一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法

1人

C30B29/36 C30B29/62

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