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发明 2022109270778 以固废前驱体低温制备高长径比防辐射莫来石晶须的方法

高校已变 热处理 建筑材料 陶瓷基复合材料 半导体 电子封装材料 填充材料 耐火材料 2人

C30B1/02 C30B1/10 C30B29/34 C30B29/62 B09B3/35 B09B3/40 B09B101/55 B09B101/60

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发明 2016100642939 一种Y2Si2O7晶须及其制备方法【特价】

1人

C30B29/34 C30B29/62 C30B25/00

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发明 2016100672046 一种Yb2Si2O7晶须及其制备方法

15天 1人

C30B9/12 C30B29/34 C30B29/62

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发明 2015105114094 一种N掺杂SiC纳米针及其应用

1人

C23C16/32 B82Y40/00 C30B25/00 C30B29/36 C30B29/62 H01J1/304

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发明 2015105108962 一种具有超高长径比的P掺杂SiC纳米线及其制备方法

1人

C30B29/36 C30B29/62

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