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发明 201510511447X 一种SiC一维纳米材料及其应用

1人

C30B29/60 C30B29/10 B82Y20/00

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发明 2016102610839 一种单斜相BiVO4/GO/RGO晶体及其制备方法

半导体材料 光电气敏 光致发光 环保 高校未变 2人

C30B7/10 C30B29/10

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