| 符合条件的4条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2013100278703 一种调控n型SiC单晶低维纳米材料掺杂浓度的方法 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2015104049172 SiC纳米阵列 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2015104040125 调控SiC纳米阵列密度的方法 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2020111137751 一种多孔铜基晶须材料的制备方法 金属制品 有色金属 铜合金 铜基材 多孔铜 7人 C30B29/62 C30B29/02 C30B1/00 C22C1/04 B22F3/11 C23F1/36 C23C14/06 C23C14/28 C25F3/04 B01J32/00 |
已下证 | 个人 |
