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发明 2018100901523 化学气相沉积法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统

石墨烯合成 半导体合成 1人

C23C16/46 C23C16/30

已下证 学校

发明 2020103583036 NiS₂增强石墨烯基SERS装置及其制备方法

1人

C23C28/00 C23C16/26 C23C16/30 C23C16/455 C23C14/18 C23C14/35 G01N21/65

已下证 个人