| 符合条件的3条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2020103583036 NiS₂增强石墨烯基SERS装置及其制备方法 1人 C23C28/00 C23C16/26 C23C16/30 C23C16/455 C23C14/18 C23C14/35 G01N21/65 |
已下证 | 个人 | ||||
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发明 2018101963762 一种Co掺杂MoS2阵列原位电极的CVD制备方法 石墨材料 光电转化材料 复合材料 能量存储 转换材料 2人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2018100901523 化学气相沉积法在FeS2表面生长MoS2的冷却系统 石墨烯合成 半导体合成 1人 |
已下证 | 学校 |
