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发明 2021111856059 一种铜铟镓硫微纳二级阵列及其制备方法和应用

光伏电池 太阳能电池 半导体材料 电池薄膜 纳米结构制备 2人

H01L31/032 H01L31/0352 H01L31/0392 H01L31/0224 H01L31/052 H01L31/18 H01L21/02 B81B1/00 B81C1/00 B82Y30/00 B82Y40/00

未下证 学校

发明 202011422750X 适用于激光隐形切割的划片道结构及其制备方法

【硅片加工 硅片清洗 硅片制备 芯片加工 增强拉曼效应 衬底材料 集成电路 线路板刻蚀 电路板 基板 】 半导体 1人

B81B7/02 B81C1/00 B82Y30/00

已下证 企业

发明 2019111811987 一种凹槽复合多凸起结构及其制备工艺

【硅片加工 硅片清洗 硅片制备 芯片加工 增强拉曼效应 衬底材料 集成电路 线路板刻蚀 电路板 基板】 1人

B81B7/04 B81C1/00 G01N21/65

已下证 企业

发明 2020114227637 电隔离结构及其制备方法

1人

B81B7/02 B81B7/00 B81C1/00 B82Y30/00

已下证 企业

发明 2021106707618 一种基于Cr/Cu双层金属掩膜的硅湿法刻蚀方法

1人

H01L21/308 H01L21/306 B81C1/00 C23C14/16 C23C14/35 C23F1/02 C23F1/18 C23F1/38

已下证 科研院所

发明 2019109587292 增强散热Cu-Cu2O核壳纳米线阵列自保护电极及制备方法

1人

B81B7/04 B81C1/00

已下证 科研院所

发明 2018107302123 一种基于双向脉冲电源的微纳米电极制备装置及制备方法

1人

B81B1/00 B81C1/00

已下证 学校