批量导出勾选专利
符合条件的1条专利数据 专利状态 申请人类型 缴费截止日 授权年 更新时间

发明 2020114709860 一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法

1人

H03K7/08 H01L29/778 H01L29/20

已下证 学校