| 符合条件的23条专利数据 | 专利状态 | 申请人类型 | 缴费截止日 | 授权年 | 更新时间 | |
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发明 2019112585625 石墨烯场发射阴极及其制备方法 石墨烯材料 二维碳纳米材料 场发射 石墨烯材料 场发射 1人 |
已下证 | 科研院所 | ||||
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发明 2017100008736 三线交叉角支撑银弧门控全凹坑面曲底阴极结构的发光显示器 1人 |
已下证 | 学校 | ||||
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发明 2017100008740 对称波浪线尖门控多凸面倒置瓦槽组合阴极结构的发光显示器 1人 |
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发明 2017100008755 圆弧辅全曲银门控三连续洼面棱边阴极结构的发光显示器 1人 |
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发明 2017100008863 三弧面斜纹单门控多凸起圆饼层洼面阴极结构的发光显示器 1人 |
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发明 2017100009758 内连上下双凸银门控隔离式等同凹面阴极结构的发光显示器 1人 |
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发明 2016105349200 旁直混合门极圆环斜月牙尖阴极结构的发光显示器 1人 |
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发明 2017100009122 前后弧非等同银门控交错斑点环互连边阴极结构的发光显示器 显示器 显示屏 屏幕 2人 |
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发明 2017100008539 双斜直喇叭口型门控非对称挂件曲面边沿阴极结构的发光显示器 显示器 显示屏 屏幕 2人 |
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发明 2017100009137 多角直弧结合银门控异斜曲面分段大边阴极结构的发光显示器 显示器 显示屏 屏幕 2人 |
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发明 2017100009298 小弯弧混杂银门控斜置长扇凸边错落阴极结构的发光显示器 显示器 显示屏 屏幕 2人 |
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发明 2019101320635 一种反射式场发射电子光源器件及制备方法 1人 |
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发明 2019112455250 一种金属钛修饰的三维碳阵列阴极结构及其制备方法 1人 |
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发明 2015107523298 一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极 1人 |
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发明 2015105114094 一种N掺杂SiC纳米针及其应用 1人 |
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发明 2015105106666 一种N掺杂SiC纳米针柔性场发射阴极材料的制备方法 1人 |
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发明 2015104049172 SiC纳米阵列 1人 |
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发明 2015104040125 调控SiC纳米阵列密度的方法 1人 |
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发明 2015105106793 P掺杂SiC纳米线在场发射阴极材料中的应用 1人 |
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发明 2015105121384 一种P掺杂SiC纳米颗粒薄膜及其应用 1人 |
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