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发明 2018107204775 一种去除阳极氧化制备SiC纳米结构中帽层的方法

1人

C25F3/12 C25D11/02 B82Y40/00

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发明 202010071042X 一种4H-SiC一体化自支撑光阳极的制备方法及应用

1人

C25F3/12 C25D11/32 C25B11/04 C25B11/03 C25B1/04

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